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采用低压金属有机化学气相沉积(LP—MOCVD)技术，两步生长法在InP衬底上制备In ：Ga0 。As材料。研究缓冲层In Ga As的In组分对In0．8：Gao。。As结晶质量和表面形貌的影响。x射线衍射(XRD)用于表征材料的组分和结晶质量。用扫描电子显微镜(SEM)观察样品的表面形貌。实验结果表明，低温生长的缓冲层In Ga 一 As的In组分影响高温生长的外延层In ：Ga0_1。As...