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喜讯!苏州大学光电科学与工程学院牵头的2个国家重点研发计划项目获批
国家重点研发计划项目 3D显示 光伏器件
2023/2/27
2022年,苏州大学光电科学与工程学院积极响应党中央科教兴国战略号召,大力倡导有组织科研,由学院牵头申报的2个国家重点研发计划项目获批立项,分别为李孝峰教授牵头的“光伏器件与组件特性仿真的基础研究”项目(立项经费1000万元)和陈煜教授牵头的“虚拟融合真3D显示机理与关键材料研究”青年科学家项目(立项经费300万元)。此外,学院王钦华教授获批1项国家重点研发计划课题(立项经费432万元),陈煜教授...
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国内外航天工程实践发现,1000km以上接近2000km—高高度低地球轨道(HLEO)等近地空间区域以地球辐射带质子环境为主,质子具有电离和非电离两种方式,可通过位移损伤效应(DDD,Displacement Damage Dose)和总剂量效应(TID,Total Ionizing Dose)作用导致航天器在轨异常和故障,并主要表现为星用电子器件/部件性能衰退导致电路失效,如欧洲的伽利略木星探测...
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高分辨率光学相机随齐鲁二号卫星发射升空(图)
高分辨率 光学相机 齐鲁二号卫星
2023/2/17
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中国科学院西安光机所超高速空间光通信技术研究获进展(图)
西安光机所 超高速空间 光通信技术
2023/1/12
2023年1月11日,中国科学院西安光学精密机械研究所在超高速空间光通信技术研究中取得重要进展。相关研究成果以Terabit FSO communication based on a soliton microcomb为题,作为封面文章,发表在Photonics Research上。
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近红外二区(1000-1700 nm, NIR-II)荧光成像与可见光和近红外一区荧光成像相比,具有更低的组织自发荧光、更深的组织穿透深度和更高的成像分辨率等优势,被认为是一种极具潜力的疾病的诊疗和术中实时导航的成像方式。2023年来,NIR-II荧光探针及其在疾病诊疗中应用的相关研究也受到广泛关注,获得了长足进展。然而由于血脑屏障的存在,目前缺乏NIR-II荧光探针,能够有效的成像脑组织及复杂的...
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中国科学院上海药物所等开发纳米探针用于脑胶质瘤的成像与治疗(图)
纳米探针 脑胶质瘤 成像 治疗
2023/1/8
脑胶质瘤作为一种高浸润性、高转移性的肿瘤,因其预后差、死亡率高、复发率高等挑战,被认为是最具侵袭性的恶性脑肿瘤之一。虽然,目前临床上已采用手术切除、放疗、化疗等多种方法来治疗脑胶质瘤,但其预后仍较差,中位总生存期仅为14-17个月。由于血脑屏障(BBB)的限制,目前发展的大部分抗肿瘤药物难以穿越BBB到达肿瘤部位,对脑胶质瘤的治疗效果不佳;此外,由于这些药物缺乏肿瘤特异性,易导致严重的毒副作用和耐...
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上海光机所在液晶光学相控器件激光辐照效应研究方面取得新进展(图)
液晶光学 相控器件 激光辐照
2023/1/5
2022年12月19日,中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室与上海理工大学、苏州科技大学合作在液晶光学相控器件(LCPD)激光辐照效应研究方面取得新进展,提出了有效预判LCPD在连续激光加载下性能退化和失效的方法,为LCPD在高功率激光系统中的实际应用提供了指导,相关研究成果发表于Optical Materials和 Optik。
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光热治疗作为一种肿瘤光学治疗策略,可以有针对性地在局部杀死癌细胞,在恶性肿瘤治疗方面具有微创、长效、安全等特点。但许多光热疗剂由于生物相容性差、生产和加工过程反应方法复杂、反应条件苛刻等治疗效果并不理想。因此,在环境友好的条件下开发生物相容性好的光热疗剂具有重要的研究意义。而黑色素作为一种多功能色素,被广泛应用于能源和生物医学等领域,特别是癌症的成像诊断和光热疗法。目前市面上的黑色素主要是通过化学...
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重庆大学光电工程学院博士研究生吴道福获得第十九届王大珩光学奖(图)
王大珩光学奖 重庆大学 光电工程学院
2023/11/10
2022年12月24日,2022年度第十九届王大珩光学奖评审会线上召开,会议由中国光学学会理事长龚旗煌院士主持。会议对中青年科技人员奖申请者申报材料进行审议和讨论,经过无记名投票评选出2022年第十九届王大珩光学奖中青年科技人员奖获得者4名;会议对通过初评的学生奖候选人进行了终评,选出学生奖获得者30名。重庆大学光电工程学院2019级光学工程专业博士研究生吴道福获得学生光学奖。
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冷冻电子显微镜(cryo-EM)显示了嵌入在玻璃化薄冰中的大分子的原子结构,它们接近于原生状态。然而,作为确保高图像质量的关键因素,冰厚的均匀性在样品制备过程中控制得很差,这已成为高分辨率冷冻电镜的主要挑战之一。
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合肥工业大学微电子学院在低暗电流V2CTx/n-Si vdW肖特基光电二极管应用于Hadamard单像素成像领域取得重要进展(图)
合肥工业大学微电子学院 低暗电流 V2CTx/n-Si vdW 肖特基光电二极管 Hadamard 单像素成像 微电子器件 IEEE Electron Device Letters
2023/1/5
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苏州纳米所康黎星合作Nature Communications:新型二维铁电Bi2TeO5材料的插层铁电畴壁调控畴形貌机制与铁电-反铁电相变(图)
康黎星 二维铁电 反铁电相变 光学器件
2023/7/18
铁电材料因其具有稳定的自发极化,且在外加电场下具有可切换的极化特性,在非易失性存储器、传感器、场效应晶体管以及光学器件等方面具有非常广阔的应用前景。与传统的三维铁电材料不同,二维范德华层状铁电材料表面没有悬空键,这可以大大降低表面能,有助于实现更小的器件尺寸。此外,传统三维铁电薄膜的外延生长需要合适的具有小的晶格失配的基材,而在二维层状材料中,许多具有不同结构特性的层可以被堆叠并用于铁电异质结构器...