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2011年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2010年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志与国际会议）。
2009年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2008年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2007年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2006年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2005年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2004年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室科研论文(杂志和国际会议)。
2012年西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室专利授权情况。
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室专利申请情况。
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室部分国家发明专利（4）。
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室部分国家发明专利（3）
西安电子科技大学 宽带隙半导体 重点实验室
2013/4/23
西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室部分国家发明专利（3）。
中国科学院固体研究所2007年发表论文目录
中国科学院固体研究所 2007年 发表论文 目录 混合极性 制备 多孔缓冲层 GaN厚膜外延
2012/3/28
中国科学院固体研究所2007年发表论文目录。
Quasineutral limit of the drift diffusion models for semiconductors with the general initial data
2007/7/28
专著信息
书名
Quasineutral limit of the drift diffusion models for semiconductors with the general initial data
语种
英文
撰写或编译
作者
C. Schmeiser,王术
第一作者单位
出版社
Math. Models and Methods Appl. Sci.,13(4)(2003), 463...
专著信息
书名
Quasineutral limit of a standard drift diffusion model for semiconductors
语种
英文
撰写或编译
作者
肖玲,P. A. Markowich,王术
第一作者单位
出版社
Sci. China Ser. A(中国科学), 45(2002), 33-41
出版地
出版日期
2002年
月
日
标准书号
介质类型
...