搜索结果: 76-90 共查到“知识库 半导体物理学”相关记录145条 . 查询时间(1.609 秒)
用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命
2007/12/13
本文提出了一种新的测量半导体材料中少数载流子寿命的方法。这方法是测量触针下分布电阻的光电导衰退。这方法具有下列优点:(1)样品不需要切成一定形状;(2)在样品上不需要做固定电极;(3)可以检验不均匀的材料;(4)不需要一定的表面处理;(5)仪器简单,操作方便;(6)有一定的准确度。文中对表面复合速度以及光线在样品中的吸收深度的影响进行了理论分析;同时对Ge和Si样品的实验数据进行了讨论。用这方法测...
用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布
2007/12/13
本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法求得扩散层精细杂质分布。文中着重讨论了实验技术中的实际问题,如如何在阳极氧化过程中取得精细而均匀的去层(300—1500?);如何控制及测量去层厚度;测量面电导及杂质分布时的误差来源及减小误差的措施。以典型的磷在硅中扩散的杂质分布测量为例:扩散深度为4.9μm,测量间...
强光与自由电子的相互作用——半导体中载流子的多光子过程
2007/12/13
本文讨论了半导体中载流子与laser光的相互作用。把电子运动分成带内运动与带间跃迁两部分后,我们证明了在强光下,电子在带内运动的状态仍可用准动量p来标志,但不再是通常的稳定态,波函数中包含一个描述强迫运动的因子。进一步以带间跃迁或其他带内过程作为微扰,由于在跃迁过程中强迫运动部分也改变,因此伴随着有多光子的吸收或发射。根据一般的讨论,我们计算了由电声子作用引起的自由载流子吸收及由价带到导带的直接多...
能隙为零的半导体的平衡性质
2007/12/13
唯象地研究了能隙为零的半导体的平衡性质。费米能级附近态密度的奇异性与空间维数有关,它导致了电子比热和顺磁磁化率等物理量的异常。讨论了可能与此有联系的实验事实。
杂质对两能带超导体性质的影响
2007/12/13
本文中用一个简单的两能带模型讨论了费米面复连通性对超导体性质的影响。计算表明,它的效应与各向异性类似。利用Абрикосов和Горъков所发展的格林函数方法讨论了杂质散射的影响。有杂质时只有一个能隙,且大于纯超导体两个能隙中较小的一个。加杂后转变温度,临界磁场及其在T=0°K附近的温度系数下降,但转变点比热跳跃的相对值增加。低掺杂时在实验中同时测量这些量的变化可以定量地检验理论计算。高掺杂两能...
用四探针法测量矩形半导体电阻率时的修正函数
2007/12/13
本文对于应用四探针法测量矩形半导体电阻率问题进行理论分析,在同时考虑样品有限长、宽、厚三个几何尺寸对测量过程的影响的条件下导出修正函数的一般公式,并把根据这些公式计算的一些修正因子列成数据表。指出了为减小电阻率的测量误差,除了提高测量设备的精确度和改进测量技术外,正确的选择修正因子也是一个重要因素。
七种新的SiC六方多型体
2007/12/12
本文提出了用X射线劳埃法鉴定SiC六方多型体类型的方法。在详细地研究了xH类型与基本类型6H,15R和4H的倒易阵点间相互配置关系的基础上,推导出了这些具体关系,这种关系对于xH—6H来说仅有十二种,对于xH—15R仅有三十种,对于xH—4H仅有八种。上述的点间关系表和推求xH类型单位晶胞密堆积层数的公式同样可以普遍适用于以其他X射线照相法鉴定SiC六方多型体类型的工作中。用本文所提出的方法研究了...
测定超导体临界特性曲线的新方法
2007/12/12
本文描述了测定超导体临界特性曲线的持续电流方法。和文献上通常采用的四引线方法相比较,本方法具有下列优点:(1)Ic(H)曲线的物理意义明确;(2)避免了向液氦杜瓦瓶内输入大电流时技术上的困难;(3)没有烧坏样品的危险。用本方法测量了冷加工铌线的Ic(H)曲线,结果证明了以前用四引线方法所得Ic(H)特性曲线中峯的存在。
用赝势微扰法计算某些半导体的能带结构(用于GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金)
2007/12/12
用赝势微扰法计算了GaAs,GaP和Ga[As1-xPx]合金的能带。赝势选择的原则是使计算所得直接能隙和间接能隙与实验值相符合。计算结果表明,不但能带次序准确,而且与室温下的实验值符合得很好。基于由GaAs到GaP晶格常数和赝势是线性变化的假设,计算了GaP含量为20％,50％和80％时Ga[As1-xPx]合金的能带。当GaP含量为41％时,直接能隙和间接能隙相等,这一数值刚好是Spitzer...
关于半导体硅表面处理的某些问题
2007/12/12
本文根据实验结果,叙述不同腐蚀剂对于硅的表面复合速度S的影响及其时间稳定性。简短地论述了利用稳定光电导测量S方法的实质,介绍了运算公式及实验设备。指出了在怎样的条件下进行表面处理才能正确测量硅的体寿命。同时也表明了硅的电阻率对表面复合速度的影响。由实验数据证明,在10％的KOH水溶液中进行腐蚀,能够在硅表面上得到较低的复合速度。
关于波导管的格林张量函数
2007/12/12
本文以本征函数展开的方法,研究了波导管中格林函数的一般性质和形式。为了得到波导管的本征函数(简正波)和格林张量函数的一些关系,我们首先对格林函数作富氏变换,它的象函数在各向同性介质波导中以并矢形式作为最简单的表达方法,而在充有各向异性介质波导中可以表为ABA+e-ikz0的形式,这里A是坐标矩阵。用这种方法详细推导了均匀各向同性介质波导中的并矢格林函数。
关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题
2007/12/12
半导体三极管在饱和区工作时,其等效电路可以用一个三极管及一个由集电极及基极构成的二极管联成的电路表示出来,其中三极管在有源区工作,而二极管在正向偏压下工作。这样的等效电路具有比较明显的物理意义。利用这个电路来求漂移管在一个共基极电路中脉冲工作下的储存时间。解出非平衡少数载流子的连续性方程,求出二极管p-n结附近非平衡少数载流子密度的稳定态分量及暂态分量,从而得到决定储存时间的方程。计算结果表明,储...