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大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析 2010/2/23

本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEC（Light Energy Converter 光能转换器） Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布。实验结果表明，大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布，中心区域比较高，靠近中间区域最低，边缘区域最高。EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式，其浓度强烈依赖过量As的浓度。晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的...