搜索结果: 1-3 共查到“材料合成与加工工艺 Ga”相关记录3条 . 查询时间(0.031 秒)
Rational design of new materials for spintronics: Co2FeZ (Z = Al, Ga, Si, Ge)*
Heusler compounds electronic structure intermetallics half-metallic ferromagnets
2010/10/13
Spintronic is a multidisciplinary field and a new research area. New materials must be found
for satisfying the different types of demands. The search for stable half-metallic ferromagnets
and ferro...
磁控溅射Ni-Mn-Ga薄膜的磁致应变
Ni-Mn-Ga 形状记忆合金 薄膜 磁致应变
2007/12/18
摘要 采用直流磁控溅射的方法，在NaCl基底上沉积了Ni-Mn-Ga薄膜，对薄膜进行了形貌观察、微区成分及结构分析，并测量了薄膜的磁致应变。结果表明，薄膜表面可见大小不一的团簇颗粒，具有明显的岛状结构，表明Ni-Mn-Ga薄膜的形成为典型的核生长型机制。热处理前的薄膜具有部分非晶存在，热处理后薄膜晶化为多晶形态。无约束薄膜在磁场下呈现负的磁致应变，在1.3T磁场下，其最大应变值可达-0.008%，...
Zn0.9Mg0.1O:Ga宽带隙导电膜的 PLD制备及性能研究
2007/12/13
摘要 利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0.9Mg0.1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜. 采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响. 结果表明, 制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向; 200℃下沉积的薄膜通过3×10-3Pa的真空400℃退火2h后, 其电阻率由8.12×10-4Ω·cm减小到4.74×10-4Ω·cm, 禁带宽度则由...