搜索结果: 1-15 共查到“有机高分子材料 ZnO”相关记录15条 . 查询时间(0.093 秒)
Tb3+掺杂ZnO-3SiO2发光材料的制备与发光性质
溶胶-凝胶法 ZnO-3SiO2：Tb3+ 发光材料
2014/3/18
采用溶胶-凝胶法制备了Tb3+掺杂的ZnO-3SiO2发光材料，通过DTA-TG、IR、XRD、SEM、激发和发射光谱图对其结构和发光性能进行了分析。DTA-TG测试表明，20~400℃出现明显失重现象，说明在此过程中凝胶中的吸附水、乙醇等物质发生了脱附释放；XRD测试证明，材料属于非晶态；SEM显示形成了表面光滑的四面体和多面体颗粒；IR光谱显示，样品制备过程中Si—O—Si桥氧键和非桥氧键的转...
MC尼龙6/纳米ZnO复合材料热稳定性的原位XRD法研究
原位聚合法 MC尼龙 纳米ZnO
2009/11/16
采用原位聚合反应制备MC尼龙6/纳米ZnO复合材料. 动态高温XRD(20~210℃)分析表明，随着温度的升高，MC尼龙6的α1(200)晶面和α2(002+202)晶面分别发生了收缩和膨胀，纯MC尼龙6和MC尼龙6/纳米ZnO复合材料的α1和α2晶面热膨胀系数分别为aTα1=-8.8×10-5 ℃-1, aTα2=1.6×10-4 ℃-1和aTα1=-1.7×10-4 ℃-1, aTα2=3.4...
Optimization of growth conditions of ZnO nano thin films by chemical double dip technique
ZnO chemical deposition SEM AFM XPS
2010/10/12
Zinc oxide (ZnO) nano thin films have been deposited by the chemical double-dip technique using aqueous ZnSO4 and NaOH solutions. The ZnO films were characterized in terms of surface morphology by x-r...
Growth of ZnO nanowires on nonwoven polyethylene fibers
nanowires ZnO hydrothermal polyethylene photocatalysis
2010/10/12
We report the growth of ZnO nanowires on nonwoven polyethylene fibers using a simple
hydrothermal method at a temperature below the boiling point of water. The ZnO nanowires
were grown from seed ZnO...
室温固相法合成ZnO纳米棒及其光学特性
纳米
2007/12/18
摘要 在氯化钠存在下，以硫酸锌和氢氧化钠为原料，采用一步室温固相法制备了纳米氧化锌。XRD、TEM分析结果表明：所得纳米氧化锌为棒状，直径约10nm左右，长度约100～160nm。利用紫外-可见分光光度计测试了光吸收性能,发现ZnO纳米棒对200～380nm波长范围的光有很强吸收性,在可见光范围内,也有较强的吸收。ZnO纳米棒在550nm左右具有较弱的荧光发光峰且ZnO纳米棒较普通氧化锌发光峰波长...
多晶纳米ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及光催化性能研究
纳米
2007/12/18
摘要 在石英玻璃衬底上用溶胶-凝胶法制备了纳米级的多晶ZnO薄膜，通过XRD、AFM和UV-Vis吸收光谱对薄膜进行了表征；以苯酚作为被降解的物质,研究了退火温度、降解温度、苯酚溶液的初始浓度和空气流量对ZnO薄膜光催化降解苯酚性能的影响，以及其光催化活性的失活与恢复。实验结果证明，溶胶-凝胶法制备的纳米级ZnO薄膜光催化效果显著,并且可以再生。
掺杂Al2O3纳米粉对ZnO厚膜气敏传感器性能的影响
纳米
2007/12/18
摘要 以ZnO纳米粉（平均粒径 30 nm）和Al2O3纳米粉（平均粒径5 nm）为原料，利用传统的厚膜气敏传感器制备工艺制备了纯ZnO厚膜气敏传感器和掺杂Al2O3（掺杂量为2wt %和5wt %）的ZnO厚膜气敏传感器。对这三种厚膜传感器的本征电阻及对乙醇蒸汽的敏感特性进行了测试。结果表明：掺杂少量Al2O3纳米粉可明显降低ZnO气敏传感器的本征电阻，改善传感器的烧结性能，同时还可降低其最佳工...
籽晶辅助化学气相传输法生长ZnO单晶的特征研究
2007/12/13
摘要 采用籽晶辅助化学气相传输法生长得到φ32mm ZnO单晶体. X射线衍射表明晶体沿c轴方向生长, 结晶质量较好: 中心部位摇摆曲线半高宽47arcsec, 边缘部分为78.4arcsec. 利用Raman谱、光致发光谱等研究了ZnO晶体退火前后的缺陷和光学性质, 表明经氧气氛退火后晶体缺陷明显减少, 晶体质量进一步提高.
ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展
2007/12/13
摘要 稀磁半导体(DMSs)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性, 具有优异的磁、磁光、磁电等性能, 在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景. 本文对近几年来ZnO基稀磁半导体薄膜材料研究进展作一综述, 对研究热点和存在问题作一评价, 提出解决的思路, 最后对DMSs器件的潜在应用作简单介绍.
GeO2对PbO-B2O3-ZnO低熔封接玻璃结构与性能的影响
2007/12/12
摘要 用DSC、IR、XRD等研究了GeO2添加量对PbO-B2O3-ZnO系玻璃结构及性能的影响. 结果表明, 在PbO-B2O3-ZnO系封接玻璃中, 引入0.4～2.0wt%的GeO2可有效地抑制玻璃析晶, 降低封接温度. GeO2含量为0.7wt%左右时, 玻璃稳定性最好, 封接温度最低, 仅为400 ℃, 有利于低温封接. 通过引入GeO2可在一定范围内调节PbO-B2O3-ZnO系封接...
控制O2流量生长结状 ZnO微纳米棒及其特性研究
纳米
2007/12/12
摘要 采用热蒸发法以锌粉和二水醋酸锌作为源材料在Si(111)衬底上制备了高密度的ZnO微纳米棒, 制得的每根ZnO棒明显分为直径不同的四段. 利用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱和光致发光谱等测试手段对制备的样品进行了形貌、结构和光学性能的分析, 结果表明制备的ZnO棒晶体质量良好, 仅存在很少量的缺陷. 通过讨论该结构的生长机理, 发现O2分压对制备的ZnO微纳米棒的形貌有显著的影响,...
ZnO晶体生长新方法研究
2007/12/12
摘要 基于ZnO-PbF2高温溶液体系的相关系和析晶行为, 发展了一种通气诱导成核的助熔剂-坩埚下降法生长技术. 通过优化生长参数, 获得了尺寸为φ25mm×5mm的ZnO晶体. 该晶体具有纤锌矿结构, 晶格常数a=0.3252nm, b=0.5209nm. X射线定向确认其择优取向生长方向为[0001]. 实验结果表明, 助熔剂-坩埚下降法是ZnO晶体生长的一条新途径.
Pr6O11掺杂对ZnO-Bi2O3系压敏材料性能影响的研究
2007/12/12
摘要 采用稀土氧化物Pr6O11对ZnO-Bi2O3系压敏材料进行了改性研究, 探讨了Pr6O11对该材料主要性能及微观结构的影响. 结果表明, Pr6O11掺杂量较小时, 能够显著提高ZnO压敏材料非线性系数, 减小漏电流, 并基本不影响压敏电压. 当Pr6O11掺杂达到一定量时, 在保持较高非线性系数, 较小漏电流的同时, 压敏电压与不含Pr6O11的ZnO压敏材料相比提高约60%; XRD、...
文章摘要：
以丙烯酰胺为单体, N,N'-亚甲基双丙烯酰胺为网络剂,用高分子网络凝胶法在低温下制备纳米ZnO粉体, 单体与网络剂的质量比为5:1,粉料的粒度分布为5~15nm, 平均粒径尺寸为8nm,比表面为158.5m^{2}/g, ZnO含量达到99.0%(质量分数).