搜索结果: 1-15 共查到“光学工程 SOI”相关记录19条 . 查询时间(0.171 秒)
上海微系统所在八英寸SOI/铌酸锂异质集成技术方面取得重要进展（图）
铌酸锂异质 集成 电光调制
2024/3/16
2024年3月13日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所硅基材料与集成器件实验室蔡艳研究员、欧欣研究员联合团队，在通讯波段硅基铌酸锂异质集成电光调制器方面取得了重要进展。团队成员利用上海微技术工业研究院标准180 nm硅光工艺在八英寸 SOI上制备了硅光芯片，然后基于“离子刀”异质集成技术（图1），通过直接键合的方式将铌酸锂与SOI晶圆实现异质集成，并通过干法刻蚀技术实现了硅光芯片波导与LN电光...
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器的光电特性
栅控 绝缘体上硅 光电探测器 光学特性
2016/5/31
透明栅控SOI薄膜横向PIN光电探测器，是一种以SOI技术和互补金属氯化物半导体工艺为基础，综合SOI器件和传统双极、场效应光敏器件的新型光电探测器。利用半导体器件物理和基本方程，介绍和分析了器件结构及其工作原理，建立电压、电流物理模型。应用SILVACO器件仿真软件，完成器件的数值模拟与验证。在中短波长工作段，器件光电流随栅极电压的增大而增大，表现出明显的栅压控制特性。全耗尽状态下，器件的内部量...
条形和脊型SOI波导微环结构传感性能研究
条形和脊型波导 微环谐振腔 生物传感器 横截面
2016/8/5
使用时域有限差分(FDTD)方法研究了基于SOI微环谐振腔结构的条形和脊型波导,探究了微环谐振腔应用于生物传感的理论。分析了结构的几何尺寸对生物传感器灵敏度的影响。通过分析条形和脊型波导的模场分布图,解释了条形波导的灵敏度明显高于脊型波导的原因,且随着波导宽度的增加其灵敏度系数的变化遵循相同的趋势。并且,当条形波导取得最高的灵敏度系数时,其横截面是方形的,然而脊型波导的最大灵敏度值对应的却是不完全...
Athermal AWGs in SOI by overlaying a Polymer Cladding on Narrowed Arrayed Waveguides
Integrated Optics Components Integrated Optics Devices
2015/5/22
Athermal AWGs in SOI are experimentally demonstrated for the first time to our knowledge. By using narrowed arrayed waveguides and overlaying of polymer, we obtain a wavelength temperature dependence ...
Integration of photodetectors with lasers for optical interconnects using 200 mm waferscale III-V/SOI technology
photodetectors lasers III-V/SOI technology
2015/5/15
We demonstrate efficient photodetectors on top of a laser epitaxial structure completely fabricated using 200 mm wafer scale III-V/SOI technology enabling very dense integration of lasers and detector...
Horizontal p-i-n High-Speed Ge Waveguide Detector on Large Cross-section SOI Waveguide
Photodetectors Integrated optics devices Photonic integrated circuits
2015/6/10
We report a novel high-speed Ge photodetector on a large cross-section SOI waveguide platform.The device is butt-coupled with waveguide using a horizontal p-i-n junction configuration to enable high-s...
Integrated Drop-Filter for Dispersion Compensation Based on SOI Rib Waveguides
Dispersion compensation devices Integrated optics devices
2015/6/8
A drop-filter for dispersion compensation based on tapered Bragg gratings in SOI waveguides is presented. We show fabrication and characterization of the device, which separates one WDM channel with a...
基于SOI的三轴压阻微加速度计的设计
压阻式 三轴 SOI 工艺
2014/5/15
为了解决现有三轴加速度计机械精度差的问题，提出了一种基于SOI的单质量块三轴压阻微加速度计。采用四边四梁结构，根据梁上扩散的压敏电阻在分别受到三个方向惯性力作用时变化量不同设计三个方向的惠斯通电桥，实现三维加速度矢量的检测。运用ANSYS软件对结构进行建模仿真，最后设计了一套可行的工艺流程。
基于SOI的装备管理信息系统框架
SOI 装备管理 集成
2016/9/14
为解决目前装备管理信息系统功能单一、兼容性差、系统之间相互孤立、不能共享信息等问题，提出基于面向服务的集成（Service-Oriented Integration，SOI）的装备管理信息化系统框架。根据部队需求和实际需要，研究了SOI的特点以及装备管理的需求和目标，实现装备管理信息化系统框架的关键技术主要包括：数据资源整合、提供服务和编排服务。实践证明，该框架既能充分利用现役系统，又能适应未来新...
基于光纤陀螺的小型化和工程化设计要求，提出模块化设计概念。设计了一种Y型SOI波导耦合器，用于光纤陀螺光收发模块。此结构具有形式简单、谱宽、加工工艺成熟和易于实现光电集成等技术优势。理论上分析了波导结构参数对其特征参数（分光比、损耗）的影响，优化参数设计，通过模场匹配理论减小器件损耗。最后，对波导耦合器加工工艺进行了讨论，采用电子束光刻技术加工出波导掩膜版，并对加工工艺参数进行了优化。实验结果表明...
部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系
绝缘体上的硅 总剂量辐射 背沟道 掩埋氧化层
2009/7/29
实验表明SOI MOSFET掩埋氧化层中的总剂量辐射效应与辐射过程中的偏置状态有关. 对诱发背沟道泄漏电流的陷阱电荷进行了研究. 建立一个数值模型来模拟不同偏置下陷进电荷的建立, 它包括辐射产生的载流子复合和俘获的过程. 模拟结果与实验结果相符, 解释了总剂量辐射效应受偏置状态影响的机理.
Heterogeneously Integrated SOI Compound Semiconductor Photonics
Heterogeneously Integrated SOI Compound Semiconduc Photonics
2015/7/15
We present a review of recent progress in III-V on silicon heterogeneous integration technology. Both fabrication technology and devices are discussed.
Optical Filters Utilizing Ion Implanted Bragg Gratings in SOI Waveguides
Optical Filters Utilizing Ion Bragg Gratings SOI Waveguides
2009/5/19
The refractive index modulation associated with the implantation of oxygen or silicon into waveguides formed in silicon-on-insulator (SOI) has been investigated to determine the feasibility of produci...