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利用示踪252Cf中子源的材料鉴别技术
中子源 无损检测 中子-伽马射线吸收测量 中子飞行时间技术
2011/8/24
本文叙述了利用252Cf裂变中子源结合飞行时间技术对包裹进行无损检测的可行性研究,通过联合测量中子和伽玛射线的吸收谱确定样品的平均原子序数,完成被测材料的鉴定。实验采用自发裂变的252Cf中子源作为白中子源和伽马射线源,用塑料闪烁探测器探测中子和伽马射线。通过LabVIEW程序控制步进电机运动并整合获取的实验数据,实现了待测样品断层扫描数据采集工作的自动化。在对闪烁探测器进行能量和时间刻度后,对几...
基于252Cf裂变中子源的核信息系统频谱分析
裂变中子源 核信息系统 频谱分析
2009/11/26
针对252Cf裂变中子源所构造的核信息系统,在阐述随机核信号功率谱密度的算法原理基础上,借助于Matlab分析工具,采用分块平均法,对系统3个测量通道的随机核信号,先做相关计算,再对总的相关函数进行傅里叶变换,求得总功率谱,最后做平均得到所需的功率谱密度,得到了核信息系统的频谱图,并获得了相关函数多重性、相干性和功率谱密度比等重要参数。
一种252Cf裂变中子源的中子、γ射线飞行时间谱测量新方法
飞行时间谱 脉冲序列 纳秒精度
2009/11/3
针对252Cf快中子、γ射线的飞行时间谱测量要求,提出并建立一种基于高速数据采集卡的新型测量系统。采用1 GHz高速A/D转换单元和现场可编程门阵列高速处理单元,进行脉冲时间序列的在线检测,时间精度为1 ns。使用相关函数法,通过PC机的数据处理、互相关函数计算和数值统计等实现中子、γ射线飞行时间谱的测量。实验结果表明,该系统可以获得252Cf自发裂变中子源的中子、γ射线飞行时间谱,与经典的飞行时...
薄壁快脉冲252Cf裂变电离室的研制及性能测试
裂变 252Cf 薄壁快脉冲
2009/10/29
介绍了用于中子探测器效率刻度的薄壁快脉冲252Cf裂变电离室。 在用飞行时间法测量中子能谱时, 该裂变电离室能够给出252Cf裂变中子发射时刻信号, 输出脉冲上升时间约为5.5 ns, 电离室由厚度为0.15 mm的不锈钢构成。 测试结果表明, 对裂变碎片的探测效率为99.2%, α粒子脉冲幅度和碎片脉冲幅度可清晰分开。
功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究
单粒子 MOSFET器件
2009/1/16
本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。