搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 瞬态”相关记录31条 . 查询时间(0.031 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种模拟电路单粒子瞬态效应的测试表征方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 模拟电路 单粒子 瞬态效应 测试表征
2023/12/29
中国科学院微电子研究所专利:抗单粒子瞬态脉冲CMOS电路
中国科学院微电子研究所 专利 单粒子 瞬态脉冲 CMOS电路
2023/7/7
近年来,瞬态电子学愈发受到关注。瞬态电子器件能够在完成预设的特定功能后自行降解于环境中,从而避免处理、回收电子废弃物所带来的困难以及处理不当所导致的环境污染。尽管目前利用转印法在水溶性衬底上制备瞬态电子器件是可行的,然而这一方法产率较低,电路复杂度有限,也难以大规模制备。近日,北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员课题组,以碳纳米管网络薄膜作为沟道材料,通...
近日,北京大学信息科学技术学院电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室胡又凡研究员课题组以碳纳米管网络薄膜作为沟道材料,通过转移加工技术,实现了晶圆规模、可在环境中自行降解、具有高产率和高均一性的电子元器件和集成电路,并且在一个人造生态系统中实现了对环境参数的监测和自行降解。课题组充分利用碳管低温工艺的优势,在环境可降解的柔性基底上构建基本电子元器件和集成电路,解决转印技术产率低的问题:一方面...
柔性瞬态电子器件加工新技术:低成本制造生物可溶性电路成为可能(图)
柔性瞬态电子器件 加工新技术 低成本 生物可溶性电路
2017/5/12
用注射器将微型电子芯片注入人体,发挥功用后的芯片自动溶解在人体之中,这似乎是只能在科幻电影里才能见到的场景,而如今柔性瞬态电子器件的开发将这一想象变为可能。近日,天津大学精仪学院生物微流体和柔性电子实验室的黄显教授与密苏里科技大学Heng Pan教授共同完成一系列探索,在瞬态电子制造领域取得重大突破,实现了在低温状态和无水环境下的柔性瞬态电子器件的加工。相关研究成果在线发表在电子和材料领域国际权威...
以研究微弱瞬态电磁辐射信号的探测手段为目的,提出了一种基于加窗四阶累量时延估计的检测算法。利用高阶累量对高斯噪声的抑制作用以及相干平滑变换对微弱窄带噪声的弱化效果,将低信噪比条件下非周期微弱放电信号的检测问题转化为周期性时延参数的估计问题。仿真及实验比较了加窗四阶累量互相关、非加窗四阶累量互相关及传统互相关时延估计3种算法的检验性能。结果表明,经过加窗处理的四阶累量时延估计算法在相关高斯白噪声、非...
南京航空航天大学电路分析基础课件第五 六章 动态电路的瞬态分析。
日前,陕西省科学技术厅发布了陕西省2010年“13115”科技创新工程项目评审结果。经组织专家评审并报请省政府主管领导同意,由中国科学院西安光学精密机械研究所申报的“智能电网用全光纤电流传感器”项目以电子信息组总分第一名的成绩,入选陕西省2010年“13115”科技创新工程产业化项目。
瞬态光学与光子技术国家重点实验室招聘启事
国家重点实验室 招聘 启事
2011/12/5
请符合上述要求的应聘人员将简历以附件形式,附件格式为[姓名]-[专业]-[学历]-[学校],发送至西安光机所人力资源管理处邮箱,简历经初选后,我们将组织面试,届时将电话通知,请应聘人员保持联系畅通。如无预约,恕不接待来访。
瞬态光学与光子技术国家重点实验室光学影像分析与学习中心(OPTIMAL)招聘启事
招聘 启事
2011/12/5
光学影像分析与学习中心(OPTIMAL)是中国科学院西安光学精密机械研究所面向国家深空探测和对地观测,处理和分析特定数据源视觉信息,在图像的超分辨率分析、视频高速跟踪、高光谱图像分析、认知计算、高级医学影像分析等国家重大科学需求等课题开展应用研究而成立的研究机构。目前有国家特聘专家一人(千人计划)、陕西省特聘专家两人(陕西省百人计划)、中国科学院百人计划四人、国际模式识别学会会士一人、IET/IE...
X波段瞬态极化雷达射频前端关键技术研究
射频前端 雷达接收机 雷达发射机 幅相一致性
2013/5/6
瞬态极化新体制雷达,通过单脉冲获得瞬时极化散射矩阵来提取目标特征信息,提高了雷达系统在复杂电磁环境中的探测、抗干扰和反隐身等方面能力。基于该雷达工作原理,提出“同时正交双极化”的射频前端设计方案,完成了国内首部瞬态极化雷达试验系统射频前端的研发。采用正交双通道和幅相一致性技术保证了雷达实现瞬态极化的功能,采用滤波技术保证了射频系统的频谱纯度;采用低噪声放大技术有效降低了接收机噪声系数;采用直接频率...
用线性电压扫描的电容-时间瞬态测定少子产生寿命
半导体 MOS电容 少子产生寿命
2009/9/23
本文建议用耗尽的线性扫描电压扫描MOS电容样品。扫描开始前MOS电容被置于强反型态,以消除表面产生的影响。根据扫描所得的电容-时间瞬态曲线,可确定样品中少于产生寿命。实验表明,对于同一个MOS电容样品,不同电压扫描率下得到的结果有很好的一致性,且与饱和电容法的结果相符合。
高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析
CMOS数字集成电路 瞬态特性 高温CMOS
2009/9/1
本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。