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在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2 薄膜上用紫外光刻和Ar 离子刻蚀制作出SQUID 环路膜条, 然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID 的环路上制作了150~300 nm 之间不同尺寸的纳米微桥结构, 并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T 曲线与薄膜基本相同, 表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响. 对SQUID的R-T 关...
2006Vol.45No.3pp.558-564DOI: Theoretical Calculations for Structural, Elastic and Thermodynamic Properties of MgB2 under High Pressure WANG Hai-Yan,1,2 CHENG Yan,1,2 CHEN Xiang-Ro...
2005Vol.44No.5pp.936-940DOI: Elastic Constants of Superconducting MgB2 from Molecular Dynamics Simulations with Shell Model GUO Yun-Dong,1,2 CHEN Xiang-Rong,1,3 YANG Xiang-Dong,1 ...
2005Vol.44No.4pp.749-751DOI: Pair-Breaking Critical Current Density of Two-Band Superconductor MgB2 I.N. Askerzade Department of Physics, Faculty of Sciences, Ankara Uni...

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